金屬薄膜四探針電阻率測(cè)試儀

一般目前的四探針電阻率（電導(dǎo)率）測(cè)試儀均已配置厚度的修正，通過(guò)厚度數(shù)值的設(shè)置，計(jì)算出不同的樣品厚度對(duì)電阻率的影響。數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量裝置，zui常用的是直線型四探針。四根探針的針尖在同一直線上，并且間距相等，都是S，一般采用0.5mm的間距，不同的探針間距需要對(duì)測(cè)量結(jié)果做相應(yīng)的校正?？梢詼y(cè)量片狀、塊狀半導(dǎo)體材料的電阻率，擴(kuò)散層的薄層電阻（亦稱方塊電阻）。也可測(cè)柔性導(dǎo)電薄膜和玻璃等硬基底上導(dǎo)電膜的方塊電阻（簡(jiǎn)稱方阻），換上四端子測(cè)試夾具，還可對(duì)電阻器體電阻、金屬導(dǎo)體的低、中值電阻以及開關(guān)類接觸電阻進(jìn)行測(cè)量。

 金屬薄膜四探針電阻率測(cè)試儀

    儀器所有參數(shù)設(shè)定、功能轉(zhuǎn)換全部采用數(shù)字化鍵盤輸入；具有零位、滿度自校功能；自動(dòng)轉(zhuǎn)換量程；測(cè)試探頭采用寶石導(dǎo)向軸套和高耐磨碳化鎢探針制成，故定位準(zhǔn)確、游移率小、壽命長(zhǎng)；測(cè)試結(jié)果由數(shù)字表頭直接顯示。在計(jì)算機(jī)控制下進(jìn)行兩次電測(cè)量，能自動(dòng)消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響。因而每次測(cè)量不必知道探針間距、樣品尺寸及探針在樣品表面上的位置。由于每次測(cè)量都是對(duì)幾何因素的影響進(jìn)行動(dòng)態(tài)的自動(dòng)修正，測(cè)試程序控制四探針測(cè)試儀進(jìn)行測(cè)量并采集測(cè)試數(shù)據(jù)，把采集到的數(shù)據(jù)在計(jì)算機(jī)中加以分析，然后把測(cè)試數(shù)據(jù)以表格，圖形直觀地記錄、顯示出來(lái)。  

恒流源：

輸出電流：DC 0.1mA～10mA分兩檔

10mA量程：0.1～1mA 連續(xù)可調(diào)

10mA量程：1mA ～10mA連續(xù)可調(diào)

恒流精度：各檔均優(yōu)于±0.1%

適合測(cè)量各種厚度的硅片
 

基本技術(shù)參數(shù) 

1.測(cè)量范圍、分辨率

電    阻：     1.0×10-3～ 200.0×103 Ω,    分辨率0.1×10-3～ 0.1×103 Ω

電 阻 率：     1.0×10-3～ 20.0×103Ω-cm  分辨率0.1×10-3～ 0.1×103 Ω-cm

方塊電阻：     10.0×10-3～ 200.0×103Ω/□  分辨率1.0×10-3～ 0.1×103 Ω/□

測(cè)量范圍：0～199.9mv，靈敏度：100μv，準(zhǔn)確度：0.2%（±2個(gè)字），供電電源：AC：220V ±10% 50/60HZ 功率8W

 使用環(huán)境：

相對(duì)濕度≤80%

重量、體積

重量：2.2 公斤

體積：寬210×高100×深240（mm）

 產(chǎn)品特點(diǎn)：

■ 四探針：一次測(cè)量，顯示完整電阻率值。

■ 采用了*的恒流源技術(shù)，能夠滿足寬范圍的電阻率測(cè)試要求

■電阻率測(cè)量：大屏幕清晰顯示硅料電阻率值，方便檢料工快速分選

■ 電流測(cè)量：本儀器采用良好芯片技術(shù)，可通過(guò)調(diào)節(jié)硅材料厚度，儀器可直接鎖定電流，使測(cè)量使用更加簡(jiǎn)便準(zhǔn)確，本儀器可根據(jù)需要配備測(cè)試平臺(tái)， 利用測(cè)試平臺(tái)可以測(cè)試薄片電阻率

 注意事項(xiàng)：

1、儀器不使用時(shí)請(qǐng)切斷電源，連接線無(wú)需經(jīng)常拔下，避免灰塵進(jìn)入航空插引起短接等現(xiàn)象，

2、探針筆測(cè)試結(jié)束，套好護(hù)套，避免人為斷針

3、儀器操作前請(qǐng)您仔細(xì)閱讀使用說(shuō)明書，規(guī)范操作

4、輕拿輕放，避免儀器震動(dòng)，水平放置，垂直測(cè)量

量程劃分及誤差等級(jí)