涂層四探針電阻率測(cè)試儀現(xiàn)貨

  GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流四探針法》并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)，本機(jī)配置232電腦接口及USB兩種接口，本機(jī)結(jié)合采用范德堡測(cè)量原理

四探針電阻率/方阻測(cè)試儀

1.方塊電阻范圍：10^-5～2×10⁵Ω/□

2.電阻率范圍：10^-6～2×10⁶Ω-cm

3.測(cè)試電流范圍：0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA

4.電流精度：±0.1%讀數(shù)

5.電阻精度：≤0.3%

6.顯示讀數(shù)：液晶顯示：電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導(dǎo)率

7.測(cè)試方式: 普通單電測(cè)量

8.工作電源: 輸入: AC 220V±10% ,50Hz  功 耗：<30W

9.整機(jī)不確定性誤差: ≤4%（標(biāo)準(zhǔn)樣片結(jié)果）

10.選購功能: 選購1.pc軟件； 選購2.方形探頭； 選購3.直線形探頭； 選購4.測(cè)試平臺(tái)

11.測(cè)試探頭：   探針間距選購：1mm；2mm；3mm三種規(guī)格; 探針材質(zhì)選購：碳化鎢針;白鋼針；鍍金磷銅半球形針

涂層四探針電阻率測(cè)試儀現(xiàn)貨

參照標(biāo)準(zhǔn)：

1.硅片電阻率測(cè)量的標(biāo)準(zhǔn)（ASTM F84）.

2.GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測(cè)定方法》.

3.GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流兩探針法》.

4.GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流四探針法》.

雙電組合測(cè)試方法：

利用電流探針、電壓探針的變換，進(jìn)行兩次電測(cè)量，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測(cè)分析，解決樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響，適用于斜置式四探針對(duì)于微區(qū)的測(cè)試。